В журнале Springer Nature представлено исследование специалистов Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, которые разрабатывают новую технологию, позволяющую создавать критические компоненты, необходимые для высокопроизводительной и носимой электроники, например, для микроволновых печей или в системах связи 5G и 6G. Информацией об этом делится РИА Новости.
Речь идет о нитриде галлия, который ученые пытаются «вырастить» на кремниевых подложках. В этом направлении им уже удалось провести несколько успешных экспериментов, поэтому в настоящее время российские ученые приступили к разработке основного тела кристаллов.
Отмечается, что сложность выращивания кристаллов нитрида галлия заключается в том, что они имеют разные параметры решетки и коэффициенты теплового расширения.
Однако российским ученым удалось справиться с этими трудностями. Сначала они добились результатов на этапе зарождения слоев, после чего перешли к формированию буферных слоев.
О светлом будущем заботятся политики, о светлом прошлом – историки, о светлом настоящем – журналисты.