Похожие статьи
Инженеры научились выращивать монолитные кристаллы толщиной в один атом на кремниевых пластинах. Исследование было опубликовано в журнале Nature.
Сообщается, что научные специалисты из Массачусетского технологического института разработали метод создания «идеальных» двумерных полупроводниковых кристаллов толщиной в один атом на кремниевой пластине. Эта технология поможет преодолеть ограничения закона Мура и создать крошечные транзисторы и чипы.
Ученые используют газофазное осаждение для создания полупроводников. В ходе этого процесса атомы осаждаются на кремниевую пластину, образуя двумерные структуры. Это распространенный способ выращивания кристаллов и получения тонких полупроводников. Его недостатком является то, что при нормальных условиях каждое кристаллическое «ядро» растет в случайных направлениях.
Исследования показали, что идеальные монокристаллические двумерные материалы могут быть выращены на обычной промышленной кремниевой подложке с помощью метода «неэпитаксиального роста монокристаллов». Для этого кремниевую пластину прикрепляли к маске, разделяли на отдельные «карманы», а затем проводили обычную процедуру газофазного осаждения материала. Оказалось, что в каждом кармане формируется идеально ориентированная монокристаллическая среда толщиной в один атом.
В одном из таких карманов специалисты испытали работающий транзистор. Кроме того, на уже сформированный тонкий слой можно повторно наложить маску и осадить еще один атомный слой, что приводит к формированию многослойных структур из двумерных материалов. Подчеркивается, что все это возможно на обычных кремниевых пластинах.
«Ожидаем, что наша технология может позволить разработать новое поколение высокопроизводительных электронных устройств на основе двумерных полупроводников. Мы обнаружили способ догнать закон Мура, используя двумерные материалы», — делятся исследователи.
Фото: MIT News
О светлом будущем заботятся политики, о светлом прошлом – историки, о светлом настоящем – журналисты.
