РИА Новости пишет о результатах исследования ученых Московского физико-технического института (МФТИ), которые провели исследование двухслойного графена и нашли возможный способ создания нового типа электроники. Это могут быть различные компактные устройства, быстрые переключатели и другое оборудование.
Основой полупроводниковой электроники является p-n-переход. Он представляет собой энергетический барьер для электронов. С его помощью осуществляется основная функция в электронике. Еще в 1960 году было установлено, что p-n-переходы осуществляют проведение электрического тока. Однако довольно долгое время ученые ничего не знали о механизме протекания тока.
«Обнаруженная нами ситуация оказывается очень перспективной для электроники. Мы имеем высокую электронную подвижность, а также туннельный характер транспорта», — заявили исследователи.
По словам экспертов, обнаруженный россиянами эффект чрезвычайно важен для внедрения бислойного графена в цифровую электронику.
Фото: pixabay
Ведущий автор рубрик «здоровье», «общество», «наука». Считаю, что журналист должен тщательно проверять информацию. А если ошибка все же произошла, нужно ее признать и извиниться.