РИА Новости: ученые МФТИ в России нашли способ создания нового типа электроники

РИА Новости пишет о результатах исследования ученых Московского физико-технического института (МФТИ), которые провели исследование двухслойного графена и нашли возможный способ создания нового типа электроники. Это могут быть различные компактные устройства, быстрые переключатели и другое оборудование.

Основой полупроводниковой электроники является p-n-переход. Он представляет собой энергетический барьер для электронов. С его помощью осуществляется основная функция в электронике. Еще в 1960 году было установлено, что p-n-переходы осуществляют проведение электрического тока. Однако довольно долгое время ученые ничего не знали о механизме протекания тока.

«Обнаруженная нами ситуация оказывается очень перспективной для электроники. Мы имеем высокую электронную подвижность, а также туннельный характер транспорта», — заявили исследователи.

По словам экспертов, обнаруженный россиянами эффект чрезвычайно важен для внедрения бислойного графена в цифровую электронику.

Фото: pixabay

Поделиться:

Подписывайтесь на краткие, но содержательные новости со всего мира
глазами молодого поколения в Телеграм и ВКонтакте.

Почитайте также

Ученые определили диету, замедляющую старение мозга

264 Эксперимент позволил определить, какие питательные вещества замедляют снижение когнитивных способностей, и оказалось, что этот …